可乐陪鸡翅
石墨烯纳米片制备过程中，氢离子轰击通过物理剥离和化学修饰协同调控层间结构，优化材料性能。
作用机制与效果
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层间剥离
高能氢离子穿透石墨层间，通过动能传递削弱范德华力，实现单层/少层石墨烯的高效分离。例如，在能量为5keV、剂量1×101?ions/cm2条件下，剥离效率可达85%以上。 -
缺陷调控
氢离子轰击在石墨烯表面产生可控空位缺陷（如单空位、双空位），提升化学反应活性。通过调整轰击时间（10-60秒），缺陷密度可在0.2%-1.5%范围内调节。 -
边缘功能化
轰击过程促使氢原子与石墨烯边缘碳键合，形成—C—H基团，增强材料分散性与界面结合力（接触角由135°降至45°）。
| 参数类型 | 调控范围 | 对材料的影响 |
|---|---|---|
| 离子能量（keV） | 3-10 | 决定穿透深度与剥离效率 |
| 轰击剂量（ions/cm2） | 1×101?-5×101? | 控制缺陷密度与层数分布 |
| 处理温度（℃） | 25-300 | 影响氢原子扩散与键合稳定性 |
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掺杂效应
部分氢离子嵌入石墨烯晶格，形成C—H键合结构，改变电子能带分布（带隙可调至0.2-0.5eV），适用于半导体器件开发。 -
表面清洁
轰击过程同步去除石墨表面氧化物和污染物，使制备的石墨烯纳米片纯度提高至99.3%（XPS检测显示氧含量＜0.7%）。
工艺优化路径
- 能量梯度法：分阶段采用不同离子能量（如5keV→3keV）轰击，兼顾剥离效率与缺陷控制。
- 复合处理：结合氮气等离子体后处理，可修复部分轰击缺陷并引入氮掺杂位点（N含量达4.7at%）。